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*模块FS75R12KT3G
——IGBT栅*与发射*之间的电压;——IGBT集电*与发射*之间的电压;
——流过IGBT集电*-发射*的电流;
——IGBT的结温.
如果IGBT栅*与发射*之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高*过栅*-发射*之间的耐压则IGBT可能性损坏;同样,如果加在IGBT集电*与发射*允许的电压*过集电*-发射*之间的耐压,流过IGBT集电*-发射*的电流*过集电*-发射*允许的*大电流,IGBT的结温*过其结温的允许值,IGBT都可能会性损坏.
FS75R12KT3G
深圳市嘉林电子有限公司*产品。