深圳市嘉林电子有限公司

型号:FF150R12KT3G

厂家:infineon英飞凌
批号: 14+
数量：600
封装:IGBT

技术参数：150A1200V
产品性能：可使用在高频开关，高频炉，中频炉，焊机 变频器，感应加热，电源上的等

FUJI(富士)、
MITSUBISHI(三菱)、SANREX(三社)、
产功率模块IGBT、
IPM、PIM、整流桥、可控硅;
CONCEPT(瑞士)驱动板;
日本谏早IDC驱动模块;EACO电容；吸收电容;
长期供应：
FF150R12KT3G

150A/1200V/2单元

制造商：Infineon

产品：IGBT Silicon Modules

配置：Single

集电*—发射**大电压 VCEO：1200 V

集电*—射*饱和电压：3.2 V

在25 C的连续集电*电流：500 A

栅*—射*漏泄电流：400 nA

功率耗散：2900 W

*大工作温度：+ 125 C